Фильтр по тематике

Зачем нужен анализ отказов в микроэлектронике

В статье описаны современные методы анализа отказов, применяемые при разработке и производстве микросхем.

01.03.2018 1072 0
Зачем нужен анализ отказов в микроэлектронике

Анализ отказов полупроводниковых устройств необходим для выяснения причины отказов и обеспечения на основе этой информации оперативной обратной связи с этапами производства и проектирования. В связи с рыночными требованиями повышенной надёжности, а также разработкой устройств с более высокой степенью интеграции и бо¢льшими размерами чипа для анализа отказов требуются самые новые технологии.

Чтобы гарантировать надёжность, анализ должен быть «встроен» в устройство ещё на стадиях проектирования и производства, однако полностью избавиться от отказов в процессе производства и использования в полевых условиях невозможно. Для предотвращения повторного возникновения подобных сбоев должен быть выполнен анализ отказов.

Что такое анализ отказов

Анализ отказов начинается, когда находящееся под наблюдением устройство утрачивает свои основные функции согласно критериям отказа. Отказы включают полную потерю функций и различные уровни деградации. По мере того как электронное оборудование становится всё более сложным, отказы уже не ограничиваются отдельными компонентами, а превращаются в сложный отказ всей системы. Анализ отказов без учёта этих факторов может привести к ошибочным корректирующим действиям.

Анализ отказов – это исследование характера и механизма отказов с использованием оптических, электрических, физических и химических методик анализа. Прежде чем начать анализ, необходимо собрать подробную информацию об обстоятельствах и симптомах отказов. Сюда входит исследование изменений электрических характеристик и других предшествующих отказу данных, среды, условий нагрузки, монтажа и возможности человеческих ошибок. Анализ этих факторов позволит сделать предположение о потенциальном характере и механизме отказов. На основе этого предположения определяются наиболее подходящие методы и процедуры. Недостаточная информация относительно обстоятельств и симптомов отказов может привести к неподобающему выбору методики анализа, а следовательно, к значительным затратам труда и времени.

Градация отказов по размерности

Отказы могут быть вызваны дефектами на разном уровне, начиная с визуально различимых трещин, заканчивая нарушениями на атомарном уровне. На рисунке 1 показана геометрическая градация отказов по размерности.

Процедура анализа отказов

Как уже было упомянуто, анализ отказов зависит от многих факторов. На рисунке 2 представлена общая процедура анализа отказов.


Отказавшее устройство сначала подвергается визуальному осмотру корпуса (входной контроль) и проверке электрических характеристик. Если отказ подтверждается, то вскрывается корпус (производится пробоподготовка) и чип анализируется согласно характеру отказа. В зависимости от типа дефекта для его локализации применяются различные методы (соответствия между типами дефектов и применяемыми методами приведены в таблице 1, расшифровка методов представлена в таблице 2).

И только после осуществления этих действий выясняется механизм отказов и определяются корректирующие действия.

Выводы

Процесс изготовления полупроводниковой пластины включает сотни шагов с использованием различных типов материалов, что требует широкого диапазона знаний о процессах проектирования и производства. Если на каком­то этапе проектирования или производства происходит сбой, то поиск причины отказа является сложной процедурой, которая требует знаний о современных методах исследования. Однако проведение такой процедуры чрезвычайно важно, поскольку анализ отказов позволяет не только найти причины отказов и устранить их, но и предотвратить сбои в работе микросхемы, откорректировать процесс производства, что в конечном итоге снижает долю бракованной продукции, затраты производства и обеспечивает выпуск надёжной микроэлектроники.

Литература

  1. Renesas Electronics. Semiconductor Reliability Handbook. Rev.2.50. Jan. 2017: https://www.renesas.com/zh­tw/doc/products/others/r51zz0001ej0250.pdf
  2. Microelectronics Failure Analysis. Desk Refe­rence Fifth Edition. Published by ASM International, 2011.

Если вам понравился материал, кликните значок — вы поможете нам узнать, каким статьям и новостям следует отдавать предпочтение. Если вы хотите обсудить материал —не стесняйтесь оставлять свои комментарии : возможно, они будут полезны другим нашим читателям!

01.03.2018 1072 0
Комментарии
Рекомендуем
К 130-летию со дня рождения великого советского физика Игоря Евгеньевича Тамма. Часть 4. История возникновения  концепции поляритонов

К 130-летию со дня рождения великого советского физика Игоря Евгеньевича Тамма. Часть 4. История возникновения концепции поляритонов

В прошлом году в журнале «Современная электроника» были опубликованы три статьи, посвящённые юбилею выдающегося российского физика-теоретика Игоря Евгеньевича Тамма (СОЭЛ № 7–9, 2025). В частности, были описаны современные быстродействующие электрооптические модуляторы, поверхностные состояния Тамма, запрещённые фотонные зоны и фотонные кристаллы. В этих статьях умышленно не затрагивались темы поляритонов, оптических состояний Тамма (ОСТ) и плазмон-поляритонов Тамма (ППТ). Поскольку ключевой вклад в раннюю разработку этих явлений в основном принадлежит российским учёным, целесообразно посвятить их открытию более подробные отдельные статьи. Ниже рассмотрены два основных типа гибридных фотонных частиц: экситон-поляритоны и фонон-поляритоны.  
24.04.2026 СЭ №4/2026 236 0
Телевизор с электронно-лучевой трубкой: разработки С.И. Катаева и их значение

Телевизор с электронно-лучевой трубкой: разработки С.И. Катаева и их значение

«…Наступит время… когда миллионы таких приборов, таких "электрических глаз" будут всесторонне обслуживать общественную и частную жизнь, науку, технику и промышленность…» Б. Розинг Семён Исидорович Катаев (1904–1991 гг.), советский учёный и изобретатель в области телевидения, доктор технических наук, профессор, заслуженный деятель науки и техники – незаслуженно обделён вниманием популяризаторами истории электроники и телевидения в нашей стране. Тем не менее И.С. Катаев внёс значительный вклад в развитие инженерной мысли в СССР при разработке и усовершенствовании электронно-лучевых трубок (ЭЛТ), ставших на многие годы ключевой технологией, лежащей в основе экранов телевизоров и оборудования различного назначения. Катаев дополнил изобретение Зворыкина и по праву может считаться ещё одним «отцом» отечественного телевидения. В найденных документах роль Катаева прослеживается чётко, и в статье мы хотим это показать.
23.04.2026 СЭ №4/2026 233 0
Электронные системы диагностики, стимуляции и воздействия на человека на примере BAMH и управления –  на примере AE-Skin

Электронные системы диагностики, стимуляции и воздействия на человека на примере BAMH и управления – на примере AE-Skin

Путь будущих разработок в области современной электроники пролегает от визуального отображения окружающего пространства до тактильного. В этой связи представляют интерес система Bioinspired Adaptable Multiplanar mechano-vibrotactile Haptic (BAMH) – пневматически активируемый роботизированный электронный комплекс с интерфейсом из мягкого материала и система AE-Skin, обеспечивающая интерфейс между кожей человека и физическими поверхностями. Принцип её действия достаточно известен и заложен в управлении интерактивными экранами. В первой части статьи рассматриваются особенности новых разработок в области медицинской электроники и перспективы тактильного воздействия на кожу человека для лечения и изменения настроения. Во второй части представлен подробный разбор AE-Skin и примеры её совершенствования во всех сферах жизни человека: от управления посредством электронных тактильных датчиков миниатюрной формы до устройств на основе новых технологий, воспринимающих движения руками без прикосновения и без применения пироэлектрических детекторов, как управляющие сигналы для РЭА.
17.04.2026 СЭ №4/2026 257 0

ООО «ИнСАТ»  ИНН 7734682230  erid = 2SDnjdWbKyt
ООО «ИнСАТ»  ИНН 7734682230  erid = 2SDnje2F5cn
  Подписывайтесь на наш канал в Telegram и читайте новости раньше всех! Подписаться